Bardzo gęste flesze
13 grudnia 2007, 00:04O kolejnym osiągnięciu, dzięki któremu powstaną jeszcze nowocześniejsze pamięci krzemowe, informuje firma Toshiba. Opracowana przez nią struktura z podwójną warstwą tunelowania umożliwi budowanie pamięci flash w technologii 10 nm. Tak duża gęstość upakowania elementów (najnowocześniejsze obecnie mikroprocesory wykonane są w technologii 45 "aż" nanometrów) pozwoli budować układy pamięci flash o pojemności nawet 100 Gbit (12,5 gigabajta).
Bardziej pojemny MRAM
18 stycznia 2010, 17:18Japończycy z Narodowego Insytutu Zaawansowanych Nauk Przemysłowych i Technologii (AIST) opracowali nowy element do magnetorezystancji tunelowej (TMR). Tego typu podzespoły są niezbędne do zwiększenia pojemności pamięci magnetorezystywnych (MRAM).
Odczyt z FeRAM bez niszczenia danych
14 czerwca 2013, 09:23Udało się rozwiązać jeden z największych problemów trapiących pamięc FeRAM. Opracowano metodę, która pozwala na odczytanie zawartości tych pamięci bez jej niszczenia.
Samsung zaprezentował pamięci PRAM
11 września 2006, 10:54Samsung Electronics pokazał nowy typ układów pamięci, które mają działać szybciej od obecnie stosowanych kości flash. Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania.
Bezdech senny pozbawia ludzi szczegółów osobistych wspomnień
1 lutego 2019, 14:00Obturacyjny bezdech senny (ang. obstructive sleep apnea, OSA) sprawia, że pacjentom trudniej zapamiętać szczegóły z życia codziennego. Może się to przyczyniać do depresji.
Pierwsza taka lista TOP500
18 czerwca 2008, 15:07Na opublikowanej właśnie 31. edycji listy TOP500, na której wymieniono 500 najpotężniejszych komputerów świata, po raz pierwszy w historii znalazła się maszyna o wydajności przekraczającej 1 petaflops. Po raz pierwszy też lista uwzględnia pobór mocy poszczególnych superkomputerów. W końcu, po raz pierwszy w historii polski superkmputer uplasował się tak wysoko.
Pierwsze 3D Vertical NAND
6 sierpnia 2013, 10:35Samsung rozpoczął masową produkcję pierwszych układów 3D Vertical NAND (V-NAND). Nowe rozwiązanie pozwala na pokonanie ograniczeń skalowania pojemności obecnie wykorzystywanych NAND
Pierwsze DDR3
19 lutego 2007, 11:21Firma Super Talent poinformowała o wyprodukowaniu prototypowych układów pamięci DDR3. Prawdopodobnie ta współpracująca z Samsungiem firma będzie pierwszym przedsiębiorstwem, które wypuści na rynek DDR3.
Cold-boot attack: szyfrowanie nie chroni
31 lipca 2008, 14:56Naukowcy z Princeton University dowodzą, że szyfrowanie dysków twardych, które jest powszechnie stosowane do zabezpieczania danych, w pewnych warunkach zupełnie ich nie zabezpiecza. Akademicy zaprezentowali nowy typ ataku, który nazwali "cold-boot attack".
Zmiennofazowy przełom Intela i Numonyksa
29 października 2009, 11:07Intel i Numonyx poinformowały o dokonaniu przełomu w technologii pamięci zmiennofazowych (PCM). Obie firmy pokazały testowy 64-megabitowy układ, w którym udało się umieścić liczne warstwy PCM na pojedynczej podstawce.
