Bardzo gęste flesze
13 grudnia 2007, 00:04O kolejnym osiągnięciu, dzięki któremu powstaną jeszcze nowocześniejsze pamięci krzemowe, informuje firma Toshiba. Opracowana przez nią struktura z podwójną warstwą tunelowania umożliwi budowanie pamięci flash w technologii 10 nm. Tak duża gęstość upakowania elementów (najnowocześniejsze obecnie mikroprocesory wykonane są w technologii 45 "aż" nanometrów) pozwoli budować układy pamięci flash o pojemności nawet 100 Gbit (12,5 gigabajta).
Bardziej pojemny MRAM
18 stycznia 2010, 17:18Japończycy z Narodowego Insytutu Zaawansowanych Nauk Przemysłowych i Technologii (AIST) opracowali nowy element do magnetorezystancji tunelowej (TMR). Tego typu podzespoły są niezbędne do zwiększenia pojemności pamięci magnetorezystywnych (MRAM).
Układy GDDR5 już w przyszłym roku
7 sierpnia 2006, 12:00Firma analityczna DRAMeXchange, specjalizująca się w badaniu rynku pamięci, opublikowała swój raport dotyczący rozwoju układów GDDR. Zauważono w nim, że pojawienie się na rynku Xboxa 360 oraz premiera PlayStation 3, która ma wkrótce nastąpić, przyczyniły się do rozwoju rynku układów pamięci graficznych.
Chorym na alzheimera można przywrócić pamięć?
24 stycznia 2019, 05:58Wykorzystując epigenetykę naukowcy z University at Buffalo skorygowali dysfunkcje synaps powiązane z utratą pamięci. Badania, których wyniki opisano na łamach Brain, to nowe podejście do leczenia choroby Alzheimera (AD), które daje nadzieję na odwrócenie związanego z tą chorobą procesu utraty pamięci.
Nehalem - przełom na miarę Pentium
27 października 2007, 14:53Procesor Nehalem ma być dla Intela tym, czym był Pentium. To początek nowego podejścia do CPU.
Odczyt z FeRAM bez niszczenia danych
14 czerwca 2013, 09:23Udało się rozwiązać jeden z największych problemów trapiących pamięc FeRAM. Opracowano metodę, która pozwala na odczytanie zawartości tych pamięci bez jej niszczenia.
Samsung zaprezentował pamięci PRAM
11 września 2006, 10:54Samsung Electronics pokazał nowy typ układów pamięci, które mają działać szybciej od obecnie stosowanych kości flash. Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania.
Bezdech senny pozbawia ludzi szczegółów osobistych wspomnień
1 lutego 2019, 14:00Obturacyjny bezdech senny (ang. obstructive sleep apnea, OSA) sprawia, że pacjentom trudniej zapamiętać szczegóły z życia codziennego. Może się to przyczyniać do depresji.
Pierwsza taka lista TOP500
18 czerwca 2008, 15:07Na opublikowanej właśnie 31. edycji listy TOP500, na której wymieniono 500 najpotężniejszych komputerów świata, po raz pierwszy w historii znalazła się maszyna o wydajności przekraczającej 1 petaflops. Po raz pierwszy też lista uwzględnia pobór mocy poszczególnych superkomputerów. W końcu, po raz pierwszy w historii polski superkmputer uplasował się tak wysoko.
Pierwsze 3D Vertical NAND
6 sierpnia 2013, 10:35Samsung rozpoczął masową produkcję pierwszych układów 3D Vertical NAND (V-NAND). Nowe rozwiązanie pozwala na pokonanie ograniczeń skalowania pojemności obecnie wykorzystywanych NAND
